IRLML2030TRPBF vs IRLML0030TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML2030TRPBF par Infineon et IRLML0030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML2030TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,14 | $0,13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRLML2030TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 2.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 1.3 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 100 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 154 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 1.0 nC | — |
| Boîtier | Micro3 (SOT-23) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Niveau MSL | MSL 1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Yes (lead-free, halogen-free) | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Soldering | Wave-solder compatible | Wave-solder capable |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Statut RoHS | — | Compliant |