IRLML6346TRPBF vs BSS316NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6346TRPBF par Infineon et BSS316NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML6346TRPBF BSS316NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,13
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier Micro3 / SOT-23 PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET OptiMOS 2 (Trench)
Niveau MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fiches techniques et ressources

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