IRLML6346TRPBF vs BSS316NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML6346TRPBF por Infineon e BSS316NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML6346TRPBF BSS316NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,18 $0,13
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento Micro3 / SOT-23 PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET OptiMOS 2 (Trench)
Nível MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fichas técnicas e recursos

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