IRLML6346TRPBF vs IRLML0030TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6346TRPBF par Infineon et IRLML0030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML6346TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,18 | $0,13 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | Micro3 / SOT-23 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |