IRLML6346TRPBF vs IRLML5103TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6346TRPBF par Infineon et IRLML5103TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML6346TRPBF | IRLML5103TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,18 | $0,05 |
| Polarity | N-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | Micro3 / SOT-23 | Micro3/SOT-23 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de transistor | — | P-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current | — | 760 mA at Ta |
| Power Dissipation | — | 540 mW at Ta |
| Maximum On-Resistance | — | 600 mOhm |
| Gate Charge | — | 3.4 nC |
| Drain-Source Voltage Rating | — | -30 V |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Température de fonctionnement | — | 175 C |
| Footprint | — | SOT-23 |