IRLML6346TRPBF vs IRLML6246TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6346TRPBF par Infineon et IRLML6246TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML6346TRPBF IRLML6246TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,11
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier Micro3 / SOT-23 SOT-23 (Micro3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Niveau MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 46 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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