IRLR120NTRPBF vs IRFR220NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR120NTRPBF par Infineon et IRFR220NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR120NTRPBF IRFR220NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,27 $0,74
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +150C (junction)
Boîtier TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) Yes, lead-free (PBF suffix)
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Boîtier / Format — TO-252AA (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Fiches techniques et ressources

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