IRLR2905TRPBF vs IRF640NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR2905TRPBF par Infineon et IRF640NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR2905TRPBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,88 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | 150 W |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44.7 nC |
| Type de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |