IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRLPBF par Infineon et IRLR3410TRRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET IR HEXFET (IR MOSFET process)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 17 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 79 W
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 105 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1 V (at 250 uA)
Packaging Style — Tape & Reel Right (TRR)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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