IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLR3410TRLPBF от Infineon и IRLR3410TRRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLR3410TRLPBF | IRLR3410TRRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $0,58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLR3410TRLPBF | — |
| Technology | HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET | IR HEXFET (IR MOSFET process) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 105 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) typ | 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | 22.7 nC |
| Gate Drive Level | Logic level (5V capable) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 79 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55C to +175C | — |
| Корпус | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Тип монтажа | Surface Mount (tape and reel) | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free) | — |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | Yes (UIS tested) | Yes |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 17 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 79 W |
| On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) | — | 105 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1 V (at 250 uA) |
| Packaging Style | — | Tape & Reel Right (TRR) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |