IRLR3410TRPBF vs IRF7832TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRPBF par Infineon et IRF7832TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRPBF IRF7832TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $0,92
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Niveau MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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