IRLR3636TRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3636TRLPBF par Infineon et IRFZ48NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3636TRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $1,18
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel Power MOSFET
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) —
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) —
Boîtier TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Statut RoHS — Compliant
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Fiches techniques et ressources

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