IRLR7843TRPBF vs BSC016N06NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR7843TRPBF par Infineon et BSC016N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR7843TRPBF | BSC016N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,65 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 161 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 4.5 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 34 nC | 71 nC |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Avalanche Energy (Eas) | Fully characterized | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | OptiMOS™ 5 |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | — | 30 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 139 W |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V |