IRLZ34NSTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLZ34NSTRLPBF par Infineon et IRFR5305TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLZ34NSTRLPBF IRFR5305TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,38
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Boîtier D2PAK (TO-263), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fiches techniques et ressources

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