ISC009N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC009N03LF2SATMA1 par Infineon et ISZ028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC009N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,48 $0,49
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ trench StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 43 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 341 A 128 A
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V
Boîtier PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) -55C to +175C (junction, typical)
Gate Drive Voltage (VGS) 10 V (typical for rated RDS(on)) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis