ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC018NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon et BSC018NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC011N04NM7VATMA1 | BSC018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,41 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS 25V (Trench) |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-1 (8-PowerTDFN) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +150°C (TJ) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| Niveau MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 29 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.8 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 39 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2800 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| Statut RoHS | — | Compliant |