ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N04NM7VATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ 1.9 mOhm
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Boîtier PG-TDSON-8 (source-down) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +150 C
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Niveau MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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