ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon et IAUC60N06S5L073ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N06LM5ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W 52 W
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Boîtier PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Nombre de broches — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

Fiches techniques et ressources

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