ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC011N06LM5ATMA1 von Infineon und IAUC60N06S5L073ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC011N06LM5ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W 52 W
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Gehäuse PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +175C
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 5
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Anzahl der Pins — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

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