ISC011N06LM5ATMA1 vs IPZ40N04S53R1ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon et IPZ40N04S53R1ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N06LM5ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Boîtier PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 C to +175 C
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (260 C peak reflow)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C — 40 A
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C — 71 W
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A — 3.1 mOhm
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) — 7 V, 10 V
Maximum V_GS — +/-20 V
Qualification — AEC-Q101 automotive
Avalanche Tested — 100 %
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Series — OptiMOS 5 (IPZ family)

Fiches techniques et ressources

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