ISC011N06LM5ATMA1 vs IPZ40N04S53R1ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC011N06LM5ATMA1 メーカー: Infineon および IPZ40N04S53R1ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ 生産中
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IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC011N06LM5ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
パッケージ PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
動作温度範囲 -55C to +175C -55 C to +175 C
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (260 C peak reflow)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C — 40 A
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C — 71 W
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A — 3.1 mOhm
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) — 7 V, 10 V
Maximum V_GS — +/-20 V
Qualification — AEC-Q101 automotive
Avalanche Tested — 100 %
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Series — OptiMOS 5 (IPZ family)

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