ISC011N06LM5ATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon et ISC009N06LM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC011N06LM5ATMA1 | ISC009N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $2,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | 41 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | 348 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 214 W |