ISC015N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N03LF2SATMA1 par Infineon et ISZ028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 - 30V 214A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

ISC015N03LF2SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC015N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,96 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 43 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 214 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.35 V —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 125 W —
Boîtier PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C (junction, typical)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Niveau MSL — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

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