ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon et ISC046N13NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC015N04NM5ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $1,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 135 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) —
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55 C to +175 C
Boîtier / Format PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) —
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Part Family — OptiMOS 6
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 142 A
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 211 W
Gate Drive (recommended) — 10 V (typical)
Packaging — Tape & Reel

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