ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC015N04NM5ATMA1 por Infineon e ISC046N13NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC015N04NM5ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $1,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 135 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) —
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) —
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Part Family — OptiMOS 6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 142 A
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 211 W
Gate Drive (recommended) — 10 V (typical)
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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