ISC015N06NM5ATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon et BSZ068N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC015N06NM5ATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Boîtier PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (trench-gate)
Statut RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 46 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Niveau MSL — MSL1
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

Fiches techniques et ressources

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