ISC015N06NM5ATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon e BSZ068N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC015N06NM5ATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (trench-gate)
Status RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 46 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Nível MSL — MSL1
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

Fichas técnicas e recursos

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