ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N06NM5LF2ATMA1 par Infineon et IQEH54NE2LM7UCGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ ActifInfineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,21 | $1,95 |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | 52 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 406 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (typical MOSFET range) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |