ISC037N12NM6ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon et IPTG025N15NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC037N12NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,62 $1,52
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

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