ISC045N03L5SATMA1 vs IRFH5015TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC045N03L5SATMA1 par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC045N03L5SATMA1 | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,51 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | 33 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ max) |