ISC052N03LF2SATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC052N03LF2SATMA1 par Infineon et ISZ056N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC052N03LF2SATMA1 | ISZ056N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,35 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 30V | StrongIRFET 2 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 74 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 52 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | -55 C to +175 C |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 72 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |