ISC058N04NM5ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC058N04NM5ATMA1 par Infineon et ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 - 40V 63A 5.8mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC058N04NM5ATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,60 | $0,98 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| FET Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.4 V (typ) |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |