ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC060N06NM6ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC060N06NM6ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,33 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Boîtier PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Configuration Single N-Channel —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) -55 C to +175 C
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fiches techniques et ressources

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