ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon et IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC080N10NM6ATMA1 | IAUCN10S7N021ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | 175 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | AEC-Q101 (Automotive) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | — | 3.2 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | — | 105 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.98 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 32 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 7.153 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 217 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |