ISC088N08NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC088N08NM6ATMA1 par Infineon et IQE036N08NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC088N08NM6ATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C | 12.1 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 59 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 8.8 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 C | 71 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 6 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |