ISC088N08NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC088N08NM6ATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC088N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C 12.1 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 59 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 8.8 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 71 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8 FL
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant (per distributor listings) Compliant
Technology Trench-gate OptiMOS 6 OptiMOS 6
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Nombre de broches — 8
Channel Mode — Enhancement
Température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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