ISC240P06LMATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC240P06LMATMA1 par Infineon et IPB110P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC240P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,99 $1,31
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -59 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 24 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 188 W —
Technology OptiMOS trench OptiMOS (trench MOSFET)
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (single-pulse) —
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
REACH Compliance Compliant —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (TJ)
Boîtier / Format — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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