ISK057N04LM6ATSA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISK057N04LM6ATSA1 par Infineon et IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISK057N04LM6ATSA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,30 $1,85
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 64 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 39.1 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 8.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 12 nC —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF —
Output Capacitance (Coss) 290 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) PG-HSOF-8 (TOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 6 Trench OptiMOS 6
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Nombre de broches — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

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