ISK057N04LM6ATSA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISK057N04LM6ATSA1 メーカー: Infineon および IPT017N12NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ 生産中
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IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISK057N04LM6ATSA1 IPT017N12NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.30 $1.85
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 64 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 39.1 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 8.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 12 nC —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF —
Output Capacitance (Coss) 290 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
動作温度範囲 -55C to +150C —
パッケージ PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) PG-HSOF-8 (TOLL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Technology OptiMOS 6 Trench OptiMOS 6
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
動作温度 — -55C to +175C
ピン数 — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

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