ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ028N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC009N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ028N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $1,48
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A 341 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A 43 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V 2.35 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction, typical) -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet])
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Gate Drive Voltage (VGS) — 10 V (typical for rated RDS(on))

Fiches techniques et ressources

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