ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISZ028N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC045N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISZ028N03LF2SATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $0,51 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 / Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 128 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 2.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction, typical) | -55 °C to +150 °C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (logic level at 4.5 V) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | 13 nC @ VGS=10 V |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |