ISZ033N03LF2SATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon et BSZ0901NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISZ033N03LF2SATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,34 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |