ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC009N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ033N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $1,48
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2.35 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ trench
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 43 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 341 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet])
Gate Drive Voltage (VGS) — 10 V (typical for rated RDS(on))
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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