ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC009N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ033N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $1,48
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2.35 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ trench
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 43 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 341 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet])
Gate Drive Voltage (VGS) — 10 V (typical for rated RDS(on))
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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