ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5LF2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ033N03LF2SATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $2,21
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 3 V
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] 90 nC
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Statut RoHS Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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