ISZ072N06NM6ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon et BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISZ072N06NM6ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | 33 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |