ISZ173N15NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ173N15NM6ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ173N15NM6ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 150V Automotive OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 48 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 94 W —
Technology OptiMOS 6 trench-gate MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Boîtier PG-TSDSON-8 FL PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Mode Enhancement Mode —
Application Hard and soft switching, high/low frequency —
Lead-Free Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tape & Reel Quantity 5000 —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

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