ISZ173N15NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISZ173N15NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L033ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISZ173N15NM6ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.18 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 150V Automotive OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 48 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 94 W —
Technology OptiMOS 6 trench-gate MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
パッケージ PG-TSDSON-8 FL PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Mode Enhancement Mode —
Application Hard and soft switching, high/low frequency —
Lead-Free Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Tape & Reel Quantity 5000 —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
動作温度範囲 — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

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