ISZ173N15NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISZ173N15NM6ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISZ173N15NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 FL | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| Niveau MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |