K3K8K80BM-MGCP vs K3K9K90BM-JGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3K8K80BM-MGCP par Samsung Electronics et K3K9K90BM-JGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K3K9K90BM-JGCT - Samsung LPDDR5 SDRAM | Samsung Electronics
K3K9K90BM-JGCT ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K3K8K80BM-MGCP | K3K9K90BM-JGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $9,20 |
| Type de mémoire | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 64 Gb | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organisation de la mémoire | 2G x 32 | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Débit de données | 6400 Mbps | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| Interface | LPDDR5 (CMOS) | [DATA_NEEDED: Channel configuration] |
| Boîtier | FBGA-315 (PBGA315) | — |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD] |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: VDDQ] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh scheme] |
| Package Type | — | FBGA |
| Package Code | — | BM |
| Speed/Temperature Grade Code | — | JGCT |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |